Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RF081MM2STR
Herstellerteilenummer | RF081MM2STR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RF081MM2STR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RF081MM2STR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 800mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 800mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123F |
Supplier Device Package | PMDU |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF081MM2STR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RF081MM2STR-FT |
RB521CS-30T2R
Rohm Semiconductor
RB751CS-40T2R
Rohm Semiconductor
RB886CST2R
Rohm Semiconductor
1SS400GT2R
Rohm Semiconductor
RB751G-40T2R
Rohm Semiconductor
RB886GT2R
Rohm Semiconductor
RB521G-30T2R
Rohm Semiconductor
RB520G-30T2R
Rohm Semiconductor
RB521G-40FHT2R
Rohm Semiconductor
RB751CM-40T2R
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel