Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RF 1BV1
Herstellerteilenummer | RF 1BV1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RF 1BV1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RF 1BV1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 600mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 400ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF 1BV1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RF 1BV1-FT |
SJPL-L4VR
Sanken
SJPB-H6VR
Sanken
SJPL-H2VL
Sanken
SJPL-H6VL
Sanken
SJPX-F2VR
Sanken
SJPX-H3VR
Sanken
SJPB-H9VL
Sanken
SJPB-D4VR
Sanken
SJPB-L4VL
Sanken
SJPA-D3V
Sanken
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel