Herstellerteilenummer | RF 1BV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RF 1BV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RF 1BV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 600mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 400ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF 1BV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RF 1BV-FT |
R9G20411ASOO
Powerex Inc.
R9G20411CSOO
Powerex Inc.
R9G20412CSOO
Powerex Inc.
R9G20415ASOO
Powerex Inc.
R9G20609ASOO
Powerex Inc.
R9G20609CSOO
Powerex Inc.
R9G20611ASOO
Powerex Inc.
R9G20611CSOO
Powerex Inc.
R9G20612CSOO
Powerex Inc.
R9G20615ASOO
Powerex Inc.
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel