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ON Semiconductor RFD12N06RLESM9A

Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: RFD12N06RLESM9A
Price: 0.326232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (149 reviews)

MFG-Teilenummer: RFD12N06RLESM9A

verfügbare Anzahl: 28140 Stücke

Referenzpreis: USD 0.326232

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: UltraFET™ MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RFD12N06RLESM9A.pdf

RFD12N06RLESM9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RFD12N06RLESM9A
Zukünftige Teilenummer	FT-RFD12N06RLESM9A
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	UltraFET™
RFD12N06RLESM9A Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	49W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD12N06RLESM9A Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RFD12N06RLESM9A-FT

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