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ON Semiconductor RFD12N06RLESM9A
- MFG-Teilenummer
- RFD12N06RLESM9A
- verfügbare Anzahl
- 28140 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.326232
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- UltraFET™ MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RFD12N06RLESM9A.pdf
RFD12N06RLESM9A Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RFD12N06RLESM9A |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RFD12N06RLESM9A |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | UltraFET™ |
| RFD12N06RLESM9A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 49W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RFD12N06RLESM9A Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RFD12N06RLESM9A-FT |
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