Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RFD16N05LSM
Herstellerteilenummer | RFD16N05LSM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RFD16N05LSM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RFD16N05LSM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 16A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFD16N05LSM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RFD16N05LSM-FT |
IRLR7833CPBF
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IRLR7833CTRLPBF
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IRLR7833CTRRPBF
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