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ON Semiconductor RFD4N06LSM9A

MFG-Teilenummer
RFD4N06LSM9A
verfügbare Anzahl
90280 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
RFD4N06LSM9A.pdf
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RFD4N06LSM9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer RFD4N06LSM9A
Zukünftige Teilenummer FT-RFD4N06LSM9A
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RFD4N06LSM9A Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Vgs (Max) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-252AA
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD4N06LSM9A Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RFD4N06LSM9A-FT

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