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ON Semiconductor RFD4N06LSM9A

Name: RFD4N06LSM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: RFD4N06LSM9A
Availability: InStock
Rating: 4.7 (797 reviews)

MFG-Teilenummer: RFD4N06LSM9A

verfügbare Anzahl: 90280 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 60V 4A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RFD4N06LSM9A.pdf

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RFD4N06LSM9A Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RFD4N06LSM9A
Zukünftige Teilenummer	FT-RFD4N06LSM9A
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RFD4N06LSM9A Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD4N06LSM9A Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RFD4N06LSM9A-FT

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