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RGT8NS65DGTL Image

Rohm Semiconductor RGT8NS65DGTL

MFG-Teilenummer
RGT8NS65DGTL
verfügbare Anzahl
87920 Stücke
Referenzpreis
USD 0.44856
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
RGT8NS65DGTL.pdf
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RGT8NS65DGTL Spezifikationen

Herstellerteilenummer RGT8NS65DGTL
Zukünftige Teilenummer FT-RGT8NS65DGTL
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RGT8NS65DGTL Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Leistung max 65W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Charge 13.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17ns/69ns
Testbedingung 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package LPDS (TO-263S)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RGT8NS65DGTL Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RGT8NS65DGTL-FT

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