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Rohm Semiconductor RGT8NS65DGTL
- MFG-Teilenummer
- RGT8NS65DGTL
- verfügbare Anzahl
- 87920 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.44856
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - IGBTs - Single
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RGT8NS65DGTL.pdf
RGT8NS65DGTL Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RGT8NS65DGTL |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RGT8NS65DGTL |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RGT8NS65DGTL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 12A |
| Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Leistung max | 65W |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13.5nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 17ns/69ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | LPDS (TO-263S) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RGT8NS65DGTL Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RGT8NS65DGTL-FT |
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