Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / RGTH80TS65GC11
Herstellerteilenummer | RGTH80TS65GC11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RGTH80TS65GC11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RGTH80TS65GC11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
Leistung max | 234W |
Energie wechseln | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 79nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 34ns/120ns |
Testbedingung | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247N |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGTH80TS65GC11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RGTH80TS65GC11-FT |
STGBL6NC60DT4
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STGP19NC60HD
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A54SX32A-1TQG144M
Microsemi Corporation
LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
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EP3C16E144C7
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EP4S100G3F45I3
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EP4SE530H40C2
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXMA4K3F35I3N
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