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Renesas Electronics America RJK1003DPN-E0#T2

Name: RJK1003DPN-E0#T2
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK1003DPN-E0#T2
Price: 1.12672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (633 reviews)

MFG-Teilenummer: RJK1003DPN-E0#T2

verfügbare Anzahl: 92820 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RJK1003DPN-E0#T2.pdf

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RJK1003DPN-E0#T2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RJK1003DPN-E0#T2
Zukünftige Teilenummer	FT-RJK1003DPN-E0#T2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RJK1003DPN-E0#T2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4150pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK1003DPN-E0#T2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RJK1003DPN-E0#T2-FT

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