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Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0

Name: RJK2009DPM-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2009DPM-00#T0
Availability: InStock
Rating: 4.7 (628 reviews)

MFG-Teilenummer: RJK2009DPM-00#T0

verfügbare Anzahl: 14980 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RJK2009DPM-00#T0.pdf

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RJK2009DPM-00#T0 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RJK2009DPM-00#T0
Zukünftige Teilenummer	FT-RJK2009DPM-00#T0
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RJK2009DPM-00#T0 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3PFM
Paket / fall	TO-3PFM, SC-93-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2009DPM-00#T0 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RJK2009DPM-00#T0-FT

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