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Renesas Electronics America RJK6013DPP-E0#T2

MFG-Teilenummer
RJK6013DPP-E0#T2
verfügbare Anzahl
29790 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RJK6013DPP-E0#T2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer RJK6013DPP-E0#T2
Zukünftige Teilenummer FT-RJK6013DPP-E0#T2
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RJK6013DPP-E0#T2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220FP
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6013DPP-E0#T2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RJK6013DPP-E0#T2-FT

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