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Renesas Electronics America RJK6026DPE-00#J3

Name: RJK6026DPE-00#J3
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK6026DPE-00#J3
Availability: InStock
Rating: 4.6 (53 reviews)

MFG-Teilenummer: RJK6026DPE-00#J3

verfügbare Anzahl: 19450 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RJK6026DPE-00#J3.pdf

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RJK6026DPE-00#J3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RJK6026DPE-00#J3
Zukünftige Teilenummer	FT-RJK6026DPE-00#J3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RJK6026DPE-00#J3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	4-LDPAK
Paket / fall	SC-83
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6026DPE-00#J3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RJK6026DPE-00#J3-FT

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