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Renesas Electronics America RJK60S7DPK-M0#T0

Name: RJK60S7DPK-M0#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK60S7DPK-M0#T0
Price: 5.6 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (203 reviews)

MFG-Teilenummer: RJK60S7DPK-M0#T0

verfügbare Anzahl: 12390 Stücke

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Hersteller: Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RJK60S7DPK-M0#T0.pdf

RJK60S7DPK-M0#T0 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RJK60S7DPK-M0#T0
Zukünftige Teilenummer	FT-RJK60S7DPK-M0#T0
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RJK60S7DPK-M0#T0 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	+30V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 25V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	227.2W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3PSG
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK60S7DPK-M0#T0 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RJK60S7DPK-M0#T0-FT

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