Herstellerteilenummer | RK 19 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RK 19 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RK 19 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2mA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RK 19 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RK 19-FT |
RFN3B2STL
Rohm Semiconductor
RFN3B6STL
Rohm Semiconductor
RFN5B2STL
Rohm Semiconductor
RFN5B3STL
Rohm Semiconductor
RG 10
Sanken
RG 10A
Sanken
RG 10AV
Sanken
RG 10AV1
Sanken
RG 10V
Sanken
RG 10V1
Sanken
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel