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Herstellerteilenummer | RL101-N-2-3-AP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RL101-N-2-3-AP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RL101-N-2-3-AP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial, Radial Bend |
Supplier Device Package | A-405 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL101-N-2-3-AP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RL101-N-2-3-AP-FT |
RGP02-17E-M3S/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-20E-805E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10A-013M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10AE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10AE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5020M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5303M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5310E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10D-5310M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10DE-031E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel