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Herstellerteilenummer | RL855-100M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RL855-100M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RL855 |
RL855-100M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.5A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.307" Dia (7.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.217" (5.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-100M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RL855-100M-FT |
RLB0913-152K
Bourns Inc.
RLB0913-682K
Bourns Inc.
RLB0913-182K
Bourns Inc.
RLB0913-221K
Bourns Inc.
RLB0913-151K
Bourns Inc.
RLB0913-150K
Bourns Inc.
RLB0913-153K
Bourns Inc.
RLB0913-472K
Bourns Inc.
RLB0913-273K
Bourns Inc.
RLB0913-683K
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel