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Herstellerteilenummer | RL855-102K-RC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RL855-102K-RC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RL855 |
RL855-102K-RC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1mH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 250mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5.28 Ohm Max |
Q @ Freq | 80 @ 250kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1.7MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.307" Dia (7.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.217" (5.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-102K-RC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RL855-102K-RC-FT |
RLB0913-223K
Bourns Inc.
RLB0913-1R5K
Bourns Inc.
RLB0913-122K
Bourns Inc.
RLB0913-680K
Bourns Inc.
RLB0913-270K
Bourns Inc.
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
RLB0913-100K
Bourns Inc.
RLB0913-1R0K
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel