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Herstellerteilenummer | RLB0812-333KL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RLB0812-333KL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RLB |
RLB0812-333KL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 33mH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 20mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 140 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 79.6kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 160kHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 79.6kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.264" Dia (6.70mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.433" (11.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB0812-333KL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RLB0812-333KL-FT |
RLB1314-150ML
Bourns Inc.
RLB1314-221KL
Bourns Inc.
RLB1314-100KL
Bourns Inc.
RLB1314-6R8ML
Bourns Inc.
RLB1314-100ML
Bourns Inc.
RLB1314-151KL
Bourns Inc.
RLB1314-152KL
Bourns Inc.
RLB1314-680KL
Bourns Inc.
RLB1314-102K
Bourns Inc.
RLB1014-333KL
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel