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Herstellerteilenummer | RLB0912-3R3ML |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RLB0912-3R3ML |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RLB |
RLB0912-3R3ML Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4.5A |
Strom - Sättigung | 6.5A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 18 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 50MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.343" Dia (8.70mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.433" (11.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB0912-3R3ML Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RLB0912-3R3ML-FT |
RLB9012-120KL
Bourns Inc.
RLB9012-561KL
Bourns Inc.
RLB9012-473KL
Bourns Inc.
RLB9012-2R2ML
Bourns Inc.
RLB9012-323KL
Bourns Inc.
RLB9012-680KL
Bourns Inc.
RLB9012-272KL
Bourns Inc.
RLB9012-270KL
Bourns Inc.
RLB9012-4R7ML
Bourns Inc.
RLB9012-682KL
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel