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Herstellerteilenummer | RLB1112V4-222J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RLB1112V4-222J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RLB |
RLB1112V4-222J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2mH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 350mA |
Strom - Sättigung | 330mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 252kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 760kHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.453" Dia (11.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.532" (13.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1112V4-222J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RLB1112V4-222J-FT |
SDE1006A-560K
Bourns Inc.
SDE1006A-150M
Bourns Inc.
SDE1006A-391K
Bourns Inc.
SDE1006A-101K
Bourns Inc.
SDE1006A-120M
Bourns Inc.
SDE1006A-121K
Bourns Inc.
SDE1006A-151K
Bourns Inc.
SDE1006A-180M
Bourns Inc.
SDE1006A-181K
Bourns Inc.
SDE1006A-1R5M
Bourns Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel