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Herstellerteilenummer | RLB1112V4-222J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RLB1112V4-222J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RLB |
RLB1112V4-222J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2mH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 350mA |
Strom - Sättigung | 330mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 252kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 760kHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.453" Dia (11.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.532" (13.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RLB1112V4-222J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RLB1112V4-222J-FT |
SDE1006A-560K
Bourns Inc.
SDE1006A-150M
Bourns Inc.
SDE1006A-391K
Bourns Inc.
SDE1006A-101K
Bourns Inc.
SDE1006A-120M
Bourns Inc.
SDE1006A-121K
Bourns Inc.
SDE1006A-151K
Bourns Inc.
SDE1006A-180M
Bourns Inc.
SDE1006A-181K
Bourns Inc.
SDE1006A-1R5M
Bourns Inc.
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel