Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RM 11BV1
Herstellerteilenummer | RM 11BV1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RM 11BV1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RM 11BV1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 11BV1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM 11BV1-FT |
RK 19V
Sanken
RK 34
Sanken
RK 34V
Sanken
RK 36
Sanken
RK 36V
Sanken
RK 39
Sanken
RK 39V
Sanken
RL 10Z
Sanken
RL 10ZV
Sanken
RL 2
Sanken
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel