Herstellerteilenummer | RM 1B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RM 1B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RM 1B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 800mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 1B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM 1B-FT |
RL 10Z
Sanken
RL 10ZV
Sanken
RL 2
Sanken
RL 2V1
Sanken
RL 2Z
Sanken
RL 2ZV
Sanken
RL101-AP
Micro Commercial Co
RL101-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL101-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel