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Herstellerteilenummer | RM25C128DS-LSNI-T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RM25C128DS-LSNI-T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Mavriq™ |
RM25C128DS-LSNI-T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | CBRAM® |
Technologie | CBRAM |
Speichergröße | 128kb (64B Page Size) |
Taktfrequenz | 20MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100µs, 5ms |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | SPI |
Spannungsversorgung | 1.65V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128DS-LSNI-T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM25C128DS-LSNI-T-FT |
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C
Alliance Memory, Inc.
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel