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Herstellerteilenummer | RM25C256DS-LSNI-B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RM25C256DS-LSNI-B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Mavriq™ |
RM25C256DS-LSNI-B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | CBRAM® |
Technologie | CBRAM |
Speichergröße | 256kb (64B Page Size) |
Taktfrequenz | 20MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100µs, 2.5ms |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | SPI |
Spannungsversorgung | 1.65V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C256DS-LSNI-B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM25C256DS-LSNI-B-FT |
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINL
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINLTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C2008A-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel