Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / RM 2ZV1
Herstellerteilenummer | RM 2ZV1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RM 2ZV1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RM 2ZV1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 2ZV1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM 2ZV1-FT |
RL102-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
RL102-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL102-TP
Micro Commercial Co
RL103-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL103-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel