Herstellerteilenummer | RM 4Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RM 4Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RM 4Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM 4Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RM 4Z-FT |
FMG-G26S
Sanken
FMX-1106S
Sanken
FML-G12S
Sanken
FMX-G12S
Sanken
FMX-G16S
Sanken
FMB-G14L
Sanken
FMX-G22S
Sanken
FMXA-1054S
Sanken
FMB-G14
Sanken
FMB-G16L
Sanken
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel