Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / RMLV0408EGSB-4S2#HA0
Herstellerteilenummer | RMLV0408EGSB-4S2#HA0 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RMLV0408EGSB-4S2#HA0 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
Zugriffszeit | 45ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
Supplier Device Package | 32-TSOP II |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RMLV0408EGSB-4S2#HA0-FT |
W631GU6KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU6KB15I
Winbond Electronics
W631GU6KB15I TR
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W632GG6KB-09
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W632GG6KB-11
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W632GG6KB-11 TR
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W632GG6KB-12
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W632GG6KB-12 TR
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W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
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EP4SGX230DF29I4
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EP1K100QC208-2N
Intel