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Toshiba Semiconductor and Storage RN1110,LF(CT

MFG-Teilenummer
RN1110,LF(CT
verfügbare Anzahl
28780 Stücke
Referenzpreis
USD 0.028984
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
RN1110,LF(CT.pdf
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RN1110,LF(CT Spezifikationen

Herstellerteilenummer RN1110,LF(CT
Zukünftige Teilenummer FT-RN1110,LF(CT
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RN1110,LF(CT Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall SC-75, SOT-416
Supplier Device Package SSM
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1110,LF(CT Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RN1110,LF(CT-FT

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