Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN1110(T5L,F,T)
Herstellerteilenummer | RN1110(T5L,F,T) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1110(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1110(T5L,F,T) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | SSM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1110(T5L,F,T) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1110(T5L,F,T)-FT |
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR169WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183WH6327XTSA1
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BCR185WH6327XTSA1
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BCR192WH6327XTSA1
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