Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN1118MFV,L3F
Herstellerteilenummer | RN1118MFV,L3F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1118MFV,L3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1118MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VESM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1118MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1118MFV,L3F-FT |
FJNS4214RBU
ON Semiconductor
FJY4014R
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FJY4013R
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FJY4005R
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EPF10K10ATC144-1
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EP2C35U484C8N
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A40MX04-2PL44I
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M7A3P1000-2FGG144
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LFE2-20E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2LG
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