Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN1132MFV,L3F
Herstellerteilenummer | RN1132MFV,L3F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1132MFV,L3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1132MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 200 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VESM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1132MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1132MFV,L3F-FT |
FJY4013R
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XC6SLX150-3FGG484I
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APA450-FGG256I
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AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
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EP4CGX15BF14C6
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AGL600V2-CSG281I
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LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
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