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Toshiba Semiconductor and Storage RN1425TE85LF

MFG-Teilenummer
RN1425TE85LF
verfügbare Anzahl
55810 Stücke
Referenzpreis
USD 0.0756
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RN1425TE85LF Spezifikationen

Herstellerteilenummer RN1425TE85LF
Zukünftige Teilenummer FT-RN1425TE85LF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RN1425TE85LF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) 800mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 470 Ohms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA
Frequenz - Übergang 300MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package S-Mini
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1425TE85LF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RN1425TE85LF-FT

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