Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / RN142ZS12ATE61
Herstellerteilenummer | RN142ZS12ATE61 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN142ZS12ATE61 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN142ZS12ATE61 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - 6 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 50mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 12-XFDFN |
Supplier Device Package | HMD12 (2.4x0.8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN142ZS12ATE61 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN142ZS12ATE61-FT |
HSMS-281F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-281F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel