Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / RN142ZS12ATE61
Herstellerteilenummer | RN142ZS12ATE61 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN142ZS12ATE61 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN142ZS12ATE61 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - 6 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 50mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 12-XFDFN |
Supplier Device Package | HMD12 (2.4x0.8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN142ZS12ATE61 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN142ZS12ATE61-FT |
HSMS-281F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-281F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel