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Toshiba Semiconductor and Storage RN1610(TE85L,F)

MFG-Teilenummer
RN1610(TE85L,F)
verfügbare Anzahl
30650 Stücke
Referenzpreis
USD 0.07056
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
RN1610(TE85L,F).pdf
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RN1610(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer RN1610(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer FT-RN1610(TE85L,F)
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RN1610(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall SC-74, SOT-457
Supplier Device Package SM6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1610(TE85L,F) Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RN1610(TE85L,F)-FT

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