Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1906FE,LF(CT
Herstellerteilenummer | RN1906FE,LF(CT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1906FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1906FE,LF(CT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | ES6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1906FE,LF(CT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1906FE,LF(CT-FT |
NUS2401SNT1G
ON Semiconductor
PBLS2003D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2022D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS2024D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4004D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6001D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6005D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6021D,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO640E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FGG484C
Xilinx Inc.
EP2C35F672C7
Intel
EPF10K200SFC484-2N
Intel
APA075-TQG100I
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCU324C8G
Intel