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Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LF(CT

Name: RN1910FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1910FE,LF(CT
Price: 0.03864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (531 reviews)

MFG-Teilenummer: RN1910FE,LF(CT

verfügbare Anzahl: 51020 Stücke

Referenzpreis: USD 0.03864

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RN1910FE,LF(CT.pdf

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RN1910FE,LF(CT Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RN1910FE,LF(CT
Zukünftige Teilenummer	FT-RN1910FE,LF(CT
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RN1910FE,LF(CT Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Transistortyp	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	250MHz
Leistung max	100mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package	ES6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1910FE,LF(CT Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RN1910FE,LF(CT-FT

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