Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN1970FE(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN1970FE(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN1970FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN1970FE(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | ES6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1970FE(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN1970FE(TE85L,F)-FT |
RN4603(TE85L,F)
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IMB2AT110
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IMB3AT110
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IMD2AT108
Rohm Semiconductor
IMD3AT108
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EP20K30ETC144-3N
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XC3S1500-5FG320C
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XC4VFX100-11FFG1517I
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A42MX36-3PQ208
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10M40DCF256I7G
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EP4CE22F17C9LN
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5SGSMD5H3F35I3N
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XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
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EP2AGX125EF35C6N
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