Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2110MFV,L3F
Herstellerteilenummer | RN2110MFV,L3F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2110MFV,L3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2110MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VESM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2110MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2110MFV,L3F-FT |
PDTC123TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC124ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTC124XT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143XTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144ETVL
Nexperia USA Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel