Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2117MFV,L3F
Herstellerteilenummer | RN2117MFV,L3F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2117MFV,L3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2117MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VESM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2117MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2117MFV,L3F-FT |
PDTC124XT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC143XTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC143ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC144TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ZTVL
Nexperia USA Inc.
XC2V500-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP1C6Q240C6
Intel