Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / RN2307(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN2307(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN2307(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN2307(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | USM |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2307(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN2307(TE85L,F)-FT |
RN1401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1408,LF
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RN1409,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1416,LF
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RN2401,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2403,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel