Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN4606(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN4606(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN4606(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN4606(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz, 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SM6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4606(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN4606(TE85L,F)-FT |
XP0611300L
Panasonic Electronic Components
XP0611500L
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XP0621000L
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DMG264120R
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DMC264040R
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
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LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-6FGG256I
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XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
EP1S30F780C7N
Intel
EP2S90F1020C5N
Intel