Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / RN4610(TE85L,F)
Herstellerteilenummer | RN4610(TE85L,F) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RN4610(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RN4610(TE85L,F) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SM6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4610(TE85L,F) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RN4610(TE85L,F)-FT |
XP0611500L
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XP0621000L
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XC6SLX16-3FT256I
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XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
EPF10K30AFC256-2N
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5SGXMA5H2F35C2N
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5SGXMA5K3F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
LFE3-95E-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel