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Rohm Semiconductor RP1E090XNTCR

MFG-Teilenummer
RP1E090XNTCR
verfügbare Anzahl
16620 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RP1E090XNTCR Spezifikationen

Herstellerteilenummer RP1E090XNTCR
Zukünftige Teilenummer FT-RP1E090XNTCR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RP1E090XNTCR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package MPT6
Paket / fall 6-SMD, Flat Leads
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RP1E090XNTCR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RP1E090XNTCR-FT

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