Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RP1E090XNTCR
Herstellerteilenummer | RP1E090XNTCR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RP1E090XNTCR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RP1E090XNTCR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MPT6 |
Paket / fall | 6-SMD, Flat Leads |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP1E090XNTCR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RP1E090XNTCR-FT |
SKI03063
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
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