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Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR
- MFG-Teilenummer
- RQ1C065UNTR
- verfügbare Anzahl
- 83110 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.15748
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RQ1C065UNTR.pdf
RQ1C065UNTR Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RQ1C065UNTR |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RQ1C065UNTR |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RQ1C065UNTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RQ1C065UNTR Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RQ1C065UNTR-FT |
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