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Herstellerteilenummer | RQ3C150BCTB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RQ3C150BCTB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RQ3C150BCTB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3C150BCTB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RQ3C150BCTB-FT |
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Rohm Semiconductor
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