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RQ3E070BNTB Image

Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB

MFG-Teilenummer
RQ3E070BNTB
verfügbare Anzahl
69220 Stücke
Referenzpreis
USD 0.0792
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RQ3E070BNTB Spezifikationen

Herstellerteilenummer RQ3E070BNTB
Zukünftige Teilenummer FT-RQ3E070BNTB
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RQ3E070BNTB Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall 8-PowerVDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E070BNTB Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RQ3E070BNTB-FT

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