Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RQ3E075ATTB
Herstellerteilenummer | RQ3E075ATTB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RQ3E075ATTB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RQ3E075ATTB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 15W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E075ATTB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RQ3E075ATTB-FT |
R5016ANJTL
Rohm Semiconductor
R5016FNJTL
Rohm Semiconductor
R5021ANJTL
Rohm Semiconductor
R6012ANJTL
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R6012FNJTL
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R6015ANJTL
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