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Rohm Semiconductor RQ3E100MNTB1

Name: RQ3E100MNTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100MNTB1
Price: 0.336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (105 reviews)

MFG-Teilenummer: RQ3E100MNTB1

verfügbare Anzahl: 99410 Stücke

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Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RQ3E100MNTB1.pdf

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RQ3E100MNTB1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RQ3E100MNTB1
Zukünftige Teilenummer	FT-RQ3E100MNTB1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RQ3E100MNTB1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E100MNTB1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RQ3E100MNTB1-FT

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