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Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB

Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTB
Price: 0.12028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (361 reviews)

MFG-Teilenummer: RQ3E120BNTB

verfügbare Anzahl: 35460 Stücke

Referenzpreis: USD 0.12028

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Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RQ3E120BNTB.pdf

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RQ3E120BNTB Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RQ3E120BNTB
Zukünftige Teilenummer	FT-RQ3E120BNTB
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RQ3E120BNTB Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E120BNTB Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RQ3E120BNTB-FT

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