Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / RQ3E120GNTB

Rohm Semiconductor RQ3E120GNTB

Name: RQ3E120GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120GNTB
Price: 0.12276 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (12 reviews)

MFG-Teilenummer: RQ3E120GNTB

verfügbare Anzahl: 15230 Stücke

Referenzpreis: USD 0.12276

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RQ3E120GNTB.pdf

RQ3E120GNTB Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RQ3E120GNTB
Zukünftige Teilenummer	FT-RQ3E120GNTB
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RQ3E120GNTB Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 16W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E120GNTB Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RQ3E120GNTB-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns